近年来智能手机存储容量越来越大，闪存基本上是64GB起了，128GB已经是主流，内存芯片普遍是6GB起，高端的上了8GB甚至10GB。除了内存容量在增大外，还依赖于手机RAM升级换代，宏旺半导体在行业15年，见证了手机运行内存RAM的发展历史，从LPDDR3到LPDDR4再到LPDDR5，从1GB到12GB，手机存储不可谓更新不快。今天宏旺半导体和大家说说LPDDR发展的历史及趋势。

LPDDR5规格标准

今年2月20日，JEDEC（固态存储协会）正式发布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。相较于2014年发布的第一代LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。如果匹配高端智能机常见的64bit bus，每秒可以传送51.2GB数据；要是PC的128bit bus，每秒破100GB无压力。

同时，LPDDR5还引入了数据复制（Data-Copy）和写X（Write-X）两个减少数据传输操作的命令来降低整体系统功耗，前者可以将单个阵脚的数据直接复制到其它针脚，后者则减少了SoC和RAM传递数据时的耗电。另外，LPDDR5还引入了链路ECC纠错，信号电压250mV，Vddq/Vdd2电压还是1.1V。

LPDDR4X规格标准

在LPDDR5量产之前，高端旗舰手机内存现最主流的选择是LPDDR4X，LPDDR4X并非是LPDDR4的下一代版本内存，可以看作是LPDDR4的省电优化版本，LPDDR5是LPDDR4的下一代版本内存。

JEDEC组织公布了LPDDR4X内存升级后的新标准，主要是三个因素变化：1、速度支持可上到4266MHz；2、增加了新的MCP、PoP及IoT封装；3、支持单通道设计。

这次升级说到底还是优化内存的功耗，LPDDR4X把LPDDR4内存中的Vddq电压从1.1V降至0.6V，Vdd2电压保持1.1V不变，提高性能的同时降低功耗，LPDDR4X内存速率可达4266MHz，64bit位宽下带宽高达34.1GB/s，速度更快更节能。

LPDDR4规格标准

LPDDR4是LPDDR3内存的继任者，它是基于DDR4规范的，不过电压从DDR4的1.2V降低到了1.1V，而LPDDR3工作电压也是1.2V，从这点上来看LPDDR4相对前代节能效果并不明显，但4代和3代比较也有不可忽视的优势：

1、LPDDR4的规范旨在带来高达3200MB/s的双倍数据速率，同时减少对移动设备的能源消耗。此外，LPDDR4支持16bit双通道(总位宽32bit)，而LPDDR3则只有单通道。

2、核心功耗的减少，得益于缩短了的数据路径，同时这也让运行速度得到了进一步提升。LPDDR4每核心的带宽为17GB/s，但是也可以根据需要来做成更快的双通道。

3、节能，最简单的就是降低运行电压了。LPDDR3的电压为1.2V，但是LPDDR4已经进一步降低到了1.1V。此外，新标准还改进了低频节能模式，因此设备可以在执行简单的后台任务的同时，将始终速度降下来，以便进一步节能电能。

信息行业遵循摩尔定律一直发展到今天，现在市面上从3代4代的LPDDR均有其应用领域，5代是未来发展趋势，宏旺半导体可预测的是LPDDR5有望对下一代便携电子设备（手机、平板）的性能产生巨大提升，为了实现这一改进，宏旺半导体现今已经实现了LPDDR4X 8GB量产，LPDDR5也在规划中，敬请期待！

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