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4D NAND 也来了!宏旺半导体告诉你与3D NAND有什么区别?
宏旺半导体 | 2020-01-03 11:30:57    阅读:20   发布文章

在5G手机的带动之下,产业逐渐复苏,128层堆栈的4D NAND Flash也即将量产。随着SSD的普及,NAND这个词逐渐进入用户们的视线,许多商家会在产品宣传中提到4D NAND、3D NAND等词汇,但对于新手小白来说,也许还不知道这些究竟代表着什么意思。今天,宏旺半导体就来跟大家科普什么是3D NAND、4D NAND,有什么区别。

 

 

要了解这些含义,首先要知道什么是NAND。宏旺半导体之前提到过,存储可以分为就是易失性存储和非易失性存储,非易失性存储在断电的情况下数据不会丢失,会保持长期的存储,因而NAND属于非易失性闪存存储器,通常用来制造SSD存储数据。

 

随着人们需求的不断增加,受到有限宽度和长度尺寸内容纳存储器单元的限制。2D NAND容量已达到其开发的极限,利用2D NAND很难在SSD容量方面上继续增加。于是,3D NAND应运而生。3D NAND可带来更好的性能,更低的成本以及更高的密度。

 

4D NAND 也来了!宏旺半导体告诉你与3D NAND有什么区别?

 

据宏旺半导体了解,3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。

 

目前市场上已经有15TB及以上的3D NAND SSD,正在开发的SSD存储容量甚至能够高达6PB。但这这么大容量的SSD很昂贵,因为它们不仅需要纯粹的容量,还需要智能控制器和快速的性能,但3D NAND SSD还是有很多大容量业务场景用户需求的。也正因为3D NAND的技术,使得部分采用相应技术的TLC产品达到了MLC的性能,就是我们常说的3D TLC。

 

但3D NAND也有着自己的劣势,随着先进的工艺带来的更大的容量,3D NAND的可靠性和稳定性以及性能方面都在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,其可靠性也就越差,厂商就需要采取额外手段弥补这一问题,这必然会提高成本。

 

那即将出货的4D NAND 跟3D NAND有什么区别吗?其实,据宏旺半导体了解,本质上还是3D NAND Flash,只不过单芯片采用4层架构设计,结合了3D CTF (电荷捕获闪存) 设计、PUC (Peri. Under Cell) 技术,PUC是指制造NAND Flash时先形成周边区域再堆栈晶体,有助于缩小芯片面积。所以,取名4D NAND Flash似乎只是为了比较好营销。

 4D NAND 也来了!宏旺半导体告诉你与3D NAND有什么区别?

今天的科普文就分析到这里,欢迎关注国产品牌宏旺半导体ICMAX,宏旺半导体在存储行业有十五年的经验,产品型号包含了eMMC、eMCP、UFS、UMCP、SPI、DDR、LPDDR、SSD、内存、TF卡等,应用于手持移动终端、消费类电子产品、电脑及周边、办公、汽车电子及工业控制等设备的各个领域。大家有关存储不懂的问题都可以来问,ICMAX会第一时间回复的。


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